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济南led照明

产品属性

  • 所属分类:照明亮化工程
  • 产品编号:1566011276
  • 浏览次数:0
  • 发布日期:2020-06-30
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

LED(LightingEmittingDiode)照明即是发光二极管照明,是一种半导体固体发光器件。济南led照明它是应用固体半导体芯片作为发光资料,在半导体中经过载流子发作复合放出过剩的能量而惹起光子发射,直接发出红、黄、蓝、绿色的光,在此根底上,应用三基色原理,添加荧光粉,能够发出恣意颜色的光。应用LED作为光源制造出来的照明用具就是LED灯具。LED照明灯具里,反射用处的LED照明灯具能够完整胜任于任何场所,大面积室内照明还不成熟。

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LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其中心是PN结。因而它具有普通P-N结的I-V特性,即正导游通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一局部与多数载流子(多子)复合而发光。

假定发光是在P区中发作的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发克复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间左近)捕获,然后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能构成可见光。发光的复合量相关于非发克复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和理论证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体资料带隙Eg有关,即 λ≈1240/Eg(mm)

式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体资料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管本钱、价钱很高,运用不普遍。

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